|
Технические характеристики Intel Xeon E5540 |
Модельный ряд: |
Xeon |
Боксовая версия: |
нет |
Кодовое название кристалла: |
Nehalem-EP |
Сокет:Разъём центрального процессора — гнездовой или щелевой разъём (гнездо) в материнской плате, предназначенный для установки в него центрального процессора. Использование разъёма вместо непосредственного припаивания процессора на материнской плате упрощает замену процессора для модернизации или ремонта компьютера, а также значительно снижает стоимость материнской платы. |
LGA1366 |
Количество ядер:Под многоядерностью процессора понимают, что несколько ядер являются интегрированными на одну интегральную схему (изготовлены на одном кремниевом кристалле). Архитектура многоядерных процессоров во многом повторяет архитектуру симметричных мультипроцессоров (SMP-машин) только в меньших масштабах и со своими особенностями. В многоядерных процессорах тактовая частота, как правило, намеренно снижена. Это позволяет уменьшить энергопотребление процессора без потери производительности. В некоторых процессорах тактовая частота каждого ядра может меняться в зависимости от его индивидуальной нагрузки. Ядро является полноценным микропроцессором, использующим все достижения микропроцессорной техники: конвейеры, внеочередное исполнение кода, многоуровневый кэш, поддержка векторных команд. Суперскалярность в ядре не используется, так как она реализована самим наличием нескольких ядер в процессоре. |
4 |
Тактовая частота: |
2.53 ГГц |
Максимальная Turbo-частота: |
2.8 ГГц |
Кэш L2:Кэш второго уровня L2 является уже унифицированным (содержит и данные и команды). Кэш L2 всегда больше, чем кэш L1, но медленнее его. В случае многоядерных процессоров кэш L2 принадлежит конкретному ядру процессора. |
1 МБ (4 x 256 Кб) |
Кэш L3:Кэш L3 является самым большим и медленным и разделяется между всеми ядрами процессора (в архитектуре процессоров Intel). |
8 МБ |
Поддержка памяти: |
DDR3Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц — 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц — 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц — 600 МГц (100 МГц — 300 МГц). Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. |
Количество каналов памяти: |
3 (6) |
Встроенный контроллер PCI Express: |
нет |
Встроенная графика: |
нет |
Энергопотребление (TDP): |
80 Вт |
Толщина транзистора: |
45 нм |
Hyper-Threading: |
есть |
Виртуализация Intel VT-x: |
есть |
Виртуализация Intel VT-d: |
нет |
Защищенная платформа Intel TXT: |
есть |
Обзоры
Отзывов пока нет.